單片濕法刻蝕機 AEH系列
WET ETCH
設備配置 2-8 chambers(可選)
襯底材質 Si、SiC、GaAs、InP
適用工藝 氧化硅/氮化硅刻蝕(SiOx/SiNx etch)、金屬刻蝕/Metal etch(Cu Ti Au Cr Ni etc)、氧化錫/氧化鋅(TO/GZo)等
工藝指標 介質刻蝕均勻性<5%、金屬刻蝕均勻性<5%、顆?？刂?≤10ea@0.2µm)
應用領域 IC、功率器件、射頻集成、半導體光學、光通訊、科研等
設備尺寸 2-4腔2560*2426*2863(W*D*H)、8腔5252*2412*2959(W*D*H)
技術特征：
襯底材質 Si、SiC、GaAs、InP
適用工藝 氧化硅/氮化硅刻蝕(SiOx/SiNx etch)、金屬刻蝕/Metal etch(Cu Ti Au Cr Ni etc)、氧化錫/氧化鋅(TO/GZo)等
工藝指標 介質刻蝕均勻性<5%、金屬刻蝕均勻性<5%、顆?？刂?≤10ea@0.2µm)
應用領域 IC、功率器件、射頻集成、半導體光學、光通訊、科研等
設備尺寸 2-4腔2560*2426*2863(W*D*H)、8腔5252*2412*2959(W*D*H)
技術特征：
· 機臺可實現(xiàn)多尺寸兼容；
· 工藝腔體經過優(yōu)化設計，提供優(yōu)秀的潔凈度控制；
· 可兼容銅/缽刻蝕液同腔作業(yè)，并實現(xiàn)獨立的循環(huán)回收使用，最多可兼容4種藥液同腔作業(yè)；
· 可配合使用Nano spray工藝和IPA N2 dry等干燥工藝；